"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
Номер детали:
TSM4ND60CI C0GПроизводитель:
Taiwan Semiconductor CorporationКлассификация:
Одиночные FET, MOSFETупаковка:
TO-220-3 Full Pack, Isolated TabRoHS:
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220Качество:
Пожалуйста, отправьте запрос, мы ответим немедленно
Mounting Type
Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type
N-Channel
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±30V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
41.6W (Tc)
Qualification
-
Supplier Device Package
ITO-220
Grade
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
582 pF @ 50 V
Вы можете разместить заказ без регистрации в SEMIMall. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы сможете отслеживать свой заказ в реальном времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько методов оплаты в USD, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Рекомендуется запрашивать предложения, чтобы получить последние цены и остатки деталей. Наши продажи ответят на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в вашем почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут колебаться до некоторой степени, менеджер по продажам переподтвердит заказ и сообщит вам, если есть какие-либо обновления.