"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
Номер детали:
TPS1101DRПроизводитель:
Texas InstrumentsКлассификация:
Одиночные FET, MOSFETупаковка:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)RoHS:
Описание:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOICКачество:
Пожалуйста, отправьте запрос, мы ответим немедленно
Power Dissipation (Max)
791mW (Ta)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Qualification
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Supplier Device Package
8-SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
+2V, -15V
Grade
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
FET Feature
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Вы можете разместить заказ без регистрации в SEMIMall. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы сможете отслеживать свой заказ в реальном времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько методов оплаты в USD, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Рекомендуется запрашивать предложения, чтобы получить последние цены и остатки деталей. Наши продажи ответят на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в вашем почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут колебаться до некоторой степени, менеджер по продажам переподтвердит заказ и сообщит вам, если есть какие-либо обновления.