"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
Номер детали:
TP65H070LSGПроизводитель:
TransphormКлассификация:
Одиночные FET, MOSFETупаковка:
3-PowerDFNRoHS:
Описание:
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFNКачество:
Пожалуйста, отправьте запрос, мы ответим немедленно
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Technology
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Qualification
-
FET Feature
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Grade
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-PowerDFN
Supplier Device Package
3-PQFN (8x8)
Vgs (Max)
±20V
Вы можете разместить заказ без регистрации в SEMIMall. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы сможете отслеживать свой заказ в реальном времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько методов оплаты в USD, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Рекомендуется запрашивать предложения, чтобы получить последние цены и остатки деталей. Наши продажи ответят на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в вашем почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут колебаться до некоторой степени, менеджер по продажам переподтвердит заказ и сообщит вам, если есть какие-либо обновления.