"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
Номер детали:
TK12J60W,S1VE(SПроизводитель:
Toshiba Semiconductor and StorageКлассификация:
Одиночные FET, MOSFETупаковка:
TO-3P-3, SC-65-3RoHS:
Описание:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3PКачество:
Пожалуйста, отправьте запрос, мы ответим немедленно
Qualification
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
FET Feature
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 600µA
FET Type
N-Channel
Supplier Device Package
TO-3P(N)
Grade
-
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Вы можете разместить заказ без регистрации в SEMIMall. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы сможете отслеживать свой заказ в реальном времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько методов оплаты в USD, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Рекомендуется запрашивать предложения, чтобы получить последние цены и остатки деталей. Наши продажи ответят на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в вашем почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут колебаться до некоторой степени, менеджер по продажам переподтвердит заказ и сообщит вам, если есть какие-либо обновления.