"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
Номер детали:
S2M0120120KПроизводитель:
SMC Diode SolutionsКлассификация:
Одиночные FET, MOSFETупаковка:
TO-247-4RoHS:
Описание:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200VКачество:
Пожалуйста, отправьте запрос, мы ответим немедленно
FET Type
N-Channel
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29.6 nC @ 20 V
Power Dissipation (Max)
156W (Tc)
Qualification
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
652 pF @ 1000 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Package / Case
TO-247-4
Grade
-
FET Feature
-
Mounting Type
Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 13.3A, 20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device Package
TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Вы можете разместить заказ без регистрации в SEMIMall. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы сможете отслеживать свой заказ в реальном времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько методов оплаты в USD, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Рекомендуется запрашивать предложения, чтобы получить последние цены и остатки деталей. Наши продажи ответят на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в вашем почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут колебаться до некоторой степени, менеджер по продажам переподтвердит заказ и сообщит вам, если есть какие-либо обновления.