"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
Номер детали:
IRFD313Производитель:
Harris CorporationКлассификация:
Одиночные FET, MOSFETупаковка:
4-DIP (0.300", 7.62mm)RoHS:
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFETКачество:
Пожалуйста, отправьте запрос, мы ответим немедленно
FET Feature
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
135 pF @ 25 V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Mounting Type
Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max)
1W (Tc)
Supplier Device Package
4-DIP, Hexdip
Qualification
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
FET Type
N-Channel
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (Max)
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Grade
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
350 V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Вы можете разместить заказ без регистрации в SEMIMall. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы сможете отслеживать свой заказ в реальном времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько методов оплаты в USD, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Рекомендуется запрашивать предложения, чтобы получить последние цены и остатки деталей. Наши продажи ответят на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в вашем почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут колебаться до некоторой степени, менеджер по продажам переподтвердит заказ и сообщит вам, если есть какие-либо обновления.