"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
Номер детали:
GT52N10D5IПроизводитель:
Goford SemiconductorКлассификация:
Одиночные FET, MOSFETупаковка:
8-PowerTDFNRoHS:
Описание:
N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5VКачество:
Пожалуйста, отправьте запрос, мы ответим немедленно
Vgs (Max)
±20V
Grade
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2428 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-DFN (4.9x5.75)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
FET Feature
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Package / Case
8-PowerTDFN
Qualification
-
Вы можете разместить заказ без регистрации в SEMIMall. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы сможете отслеживать свой заказ в реальном времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько методов оплаты в USD, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Рекомендуется запрашивать предложения, чтобы получить последние цены и остатки деталей. Наши продажи ответят на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в вашем почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут колебаться до некоторой степени, менеджер по продажам переподтвердит заказ и сообщит вам, если есть какие-либо обновления.