"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
"Изображения являются только для справки. Смотрите спецификации продукта~"
Номер детали:
EPC2108Производитель:
EPCКлассификация:
Массивы FET, MOSFETупаковка:
9-VFBGARoHS:
Описание:
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGAКачество:
Пожалуйста, отправьте запрос, мы ответим немедленно
Package / Case
9-VFBGA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Configuration
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V, 100V
Power - Max
-
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device Package
9-BGA (1.35x1.35)
FET Feature
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Grade
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Mounting Type
Surface Mount
Qualification
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Вы можете разместить заказ без регистрации в SEMIMall. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы сможете отслеживать свой заказ в реальном времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько методов оплаты в USD, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Рекомендуется запрашивать предложения, чтобы получить последние цены и остатки деталей. Наши продажи ответят на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в вашем почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут колебаться до некоторой степени, менеджер по продажам переподтвердит заказ и сообщит вам, если есть какие-либо обновления.